ESPECIFICACIONES DE GRADO PROFESIONAL
¡Los plazos de entrega no esperan a nadie! Afortunadamente, la unidad Falcon puede ayudarlo a mantenerse productivo y a cumplir los plazos con un rendimiento perfecto a través del almacenamiento en caché inteligente SLC, HMB (Host Memory Buffer) y lectura/escritura aleatoria de 100K/180K IOPS.
AMPLIO DE AMPLIA CAPACIDAD Y ALTO TBW
Con una memoria flash 3D NAND, la unidad FALCON proporciona mayor eficiencia y confiabilidad en comparación con las unidades de estado sólido 2D NAND. Se comercializa con diversas capacidades, que van desde 512 GB a 2 TB y cuenta con tecnologías de protección y corrección de datos para ampliar la vida útil.
ESTILO Y ESTABILIDAD
La unidad FALCON tiene un disipador térmico de aleación de aluminio con ranuras grabadas que no solo proporcionan un buen aspecto, sino que también mantienen los componentes fríos para operaciones estables durante tareas intensivas.
INTEGRIDAD Y SEGURIDAD
Con compatibilidad con la tecnología de código de corrección de errores de comprobación de paridad de baja densidad (LDPC, Low-Density Parity-Check), la unidad FALCON puede detectar y corregir errores para garantizar la integridad de los datos y, por lo tanto, disfrutar de una vida útil prolongada. El cifrado AES de 256 bits mantiene los datos dentro protegidos con contraseña y alejados de miradas indiscretas.
FABRICADA PARA DISTINGUIR PROFESIONALES
● Interfaz PCIe Gen3x4; cumple el estándar NVMe 1.3
● Velocidades de lectura/escritura sostenidas de hasta 3100/1500 MB/s
● Especificación M.2 2280: Admite las plataformas de próxima generación de Intel y AMD.
● Adecuada tanto para equipos de sobremesa como portátiles
● Ideal para aplicaciones como edición de fotos, dibujo industrial, programación, etc.
ESPECIFICACIONES
CAPACIDAD
- 512GB
FACTOR DE FORMA
- M.2 2280
NAND FLASH
- 3D NAND
CONTROLADOR
- RTS5762DL
DIMENSIONES (L x AN x AL)
- 80 x 22 x 2.9mm / 3.15 x 0.87 x 0.11inch
PESO
- 9g / 0.32oz
INTERFAZ
- PCIe Gen3x4
LECTURA SECUENCIAL (MAX*)
- Hasta 3100MB/s
ESCRITURA SECUENCIAL (MAX*)
- Hasta 1500MB/s
IOPS DE LECTURA ALEATOREA DE 4 KB (MAX*)
- Hasta 100K
IOPS DE ESCRITURA ALEATOREA DE 4 KB (MAX*)
- Hasta 180K
TEMERATURA DE OPERACION
- 0 °C – 70 °C
TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO
- -40 °C – 85 °C
RESISTENCIA A GOLPES
- 1500G / 0,5ms
MTBF
- 1 800 000 horas
TERABYTES ESCRITOS (TBW)
- 1,200TB
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